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Press Release
2007年9月18日 カリフォルニア州ベルモントならびにマウンテンビュー発 - 株式会社ニコン(社長 苅谷道郎)と半導体設計ツールの世界的リーダーであるシノプシス(NASDAQ上場コード:SNPS)は本日、シノプシスのOPCツール Proteusの最新版に、ニコンの半導体露光装置の固有の露光特性情報を反映させたことを発表した。両社は協業活動の一環として、固有の露光特性情報を反映させたスキャナ・パラメータ・モジュールを共同開発し、45nm以降のIC製造に必要となるOPC(Optical Proximity Correction=光学近接効果補正)およびRET(Resolution Enhancement Technology=超解像技術)のシミュレーション・モデルを製造工程に適した形で実現した。これにより、両社に共通のお客様にとっては、OPCモデルの精度を向上し半導体チップ完成までにかかる期間を短縮できる。 45nm以降では、1nmレベルでの線幅制御が必要となり、OPCモデルおよびRETモデルに加え、半導体露光装置の性能も極限まで高めなくてはならない。従来のOPC設計ツールは、半導体露光装置の理想化されたモデルを使用してマスク上のパターンの光学近接効果補正(OPC)を行っているが、実際にはマスクパターンを繰り返し調整し、シミュレーションモデルと露光したウェハーパターンを比較しなければ、マスクパターンを最適化することはできない。従来の方法では、正確かつ予測性の高いモデルの生成が難しく、微細パターンでのOPCには適切であるとは言えない。 この課題を克服するため、昨年9月よりニコンとシノプシスは先端デバイスでの製造に伴う開発コスト増加の負担を軽減する、製造工程に適したOPCソリューションの提供を目標と掲げ、より精度の高いOPCモデルを両社共通のお客様に提供するための協業を開始した。共同開発されたインターフェースにより生成されたモデルは、従来のOPCモデルでは予測できなかった露光による描画の影響を正確に予測することができるため、Proteusのユーザーは、偏光フレア、同期精度、様々な収差データといった高次の露光特性に関するニコンの半導体露光装置固有の情報に自動的にアクセスすることができる。(45nm以下の解像度を持つNSR-S610Cをはじめ、NSR-S609B, NSR-S308Fが対象) ニコンとシノプシスとの協業により、OPCのモデリング精度が格段に向上し、OPCモデルの構築にかかる時間を短縮することができる。この新機能はProteusの最新バージョンから利用可能となる。 株式会社ニコン 精機カンパニー 執行役員 馬立稔和は次のように述べている。「シノプシス社との協業により、正確な半導体製造装置モデルをOPCモデルの生成に反映させることのメリットを実証することができました。当社の半導体製造装置固有の露光特性情報をProteusに取り込むことにより、OPCの精度を向上させ、マスク最適化に要する時間を短縮することができるため、お客様の競争力が更に高まると期待しています」 シノプシス シリコン・エンジニアリング・グループ 上級副社長兼ジェネラル・マネージャー Wolfgang Fichtnerは次のように述べている。「ProteusのOPCは、これまで最先端のテクノロジをご提供し続けてきています。毎年機能改善を重ね、7世代のプロセス・テクノロジ・ノードにわたる10年もの間、ご愛用いただいてきました。ニコン社の装置固有の露光特性に関する情報とProteusのマスク・シンセシス・データを組み合わせることにより、OPCの精度を向上させ、45nm以降のCD(Critical Dimension=微小寸法)制御が可能なレベルにまで改善できます。今回の協業の成果により、両社共通のお客様は、より高精度なモデルを生成できるようになり、歩留まり目標を達成し、最終的にはオーナーシップ・コスト全体を削減することができます」 ニコンについて シノプシスのDFMソリューションについて シノプシスについて
Synopsys、CATSおよびSiVLは、Synopsys,
Inc.の登録商標です。 <お問い合わせ先> 日本シノプシス株式会社 フィールド・マーケティング・グループ
藤井 浩充 株式会社ニコン 広報・IR部広報課 金子 勝彦
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